硅膠壓力具有成本優(yōu)勢，目前廣泛應用于胎壓計、壓力計、血壓計、大氣壓計、高度計、天氣預報、水深測量、空壓控制等。本文旨在以HY11P系列為控制芯片，說明其使用。
原理說明：
持續(xù)性。
硅壓力由橋式電阻構(gòu)成，分為表壓和絕壓型。表壓以大氣壓為零，但絕壓以真空為零。
施加壓力時，其輸出電壓信號為正值。
Count=(V+-V-)/(VIN+-VIN-)=△R/R。
=Spanx(1+TCSx△T)xP/FS+Offset+SpanxTCOx△T。
PAinx(1-TCSx△T)x(Count–Offset)–TCOxFSx△T。
其中，
△T=T–Tc；當前溫度與校正時溫度的不同。
Span的單位是Count。
TCS是Span的溫度系數(shù)(單位:%/℃)
TCO是Offset的溫度系數(shù)(單位:%/℃)
Gain=FS/Span(單位:mBar/Count)
在傳感器US9173中，傳感器Offset的溫度在±0.08%/℃的范圍內(nèi)，一般在-0.02%/℃左右。在測量表壓時，可以在加壓前減少報價。但是，絕壓測量時，必須充分考慮。
此外，由于硅壓力傳感器的電阻溫度較大，如果將參考電壓設定為輸入電壓，則Span的溫度會在-0.17~0.27%/℃左右。因此，建議接著參考電阻，以參考電阻的電壓差為參考電壓。
可以看出:
Count=(V+-V-)/(VR+-VR-)=△R/Rref。
Rref的溫度比傳感器的r小，溫度反應規(guī)則。使用50ppm電阻時，一般Span的溫度可以減少到±0.05%/℃以內(nèi)，典型值在±0.02%/℃之間，遠遠優(yōu)于VDDA作為參考電壓。
但請注意，TCO和TCS對溫度不是常數(shù)。如果對溫度漂移的應用要求更高，則可以對不同批號的傳感器進行溫度實驗，以獲得平均TCS和TCO的溫度曲線。測量時，用HY11P的內(nèi)置溫度傳感器測量溫度變化，檢測TCS和TCO值，進行溫度補償。
控制芯片。
HY11P系列的優(yōu)勢:
低壓工作→ADC最低工作電壓2.4V。
低功耗→使用內(nèi)部2MHz打開ADC，最大功耗小于1mA。
ADCGain放大→×1/4~×16。
內(nèi)置預放大電路(PGA)→×1~×8。
高分辨率低溫漂移ADC→18bits輸出分辨率，Gaindrift:5PPM/℃。
ICOffset消除功能。
內(nèi)置溫度傳感器可用作溫度測量和傳感器的溫度補償。
低功耗→使用內(nèi)部2MHz打開ADC，最大功耗小于1mA。
低壓檢測→多段電源電壓檢測。
排列SPI通信。
PWM/PDM輸出。
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